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GaAs阴极光电发射特性

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李凯, 潘清, 肖德鑫, 王汉斌. 2013: GaAs阴极光电发射特性, 强激光与粒子束, 25(z1): 161-163.
引用本文: 李凯, 潘清, 肖德鑫, 王汉斌. 2013: GaAs阴极光电发射特性, 强激光与粒子束, 25(z1): 161-163.
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Li Kai, Pan Qing, Xiao Dexin, Wang Hanbin. 2013: Photoelectric emission of gallium arsenide cathode, High Power Lase and Particle Beams, 25(z1): 161-163.
Citation: Li Kai, Pan Qing, Xiao Dexin, Wang Hanbin. 2013: Photoelectric emission of gallium arsenide cathode, High Power Lase and Particle Beams, 25(z1): 161-163.
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GaAs阴极光电发射特性

  • 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳,621900

Photoelectric emission of gallium arsenide cathode

  • 摘要: 采用氧过量YOYO激活工艺对经高温清洁的砷化镓(GaAs)晶片进行激活,测量其量子效率和在激光及背景光照射下的使用寿命,得到了4.66％的量子效率；在电子枪中的实验获得了平均流强大于1 mA的束流.分析了真空度、高温清洁温度、铯氧激活工艺等因素对GaAs光阴极初始量子效率和使用寿命的影响.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-12-30

GaAs阴极光电发射特性

  • 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳,621900

摘要: 采用氧过量YOYO激活工艺对经高温清洁的砷化镓(GaAs)晶片进行激活,测量其量子效率和在激光及背景光照射下的使用寿命,得到了4.66％的量子效率；在电子枪中的实验获得了平均流强大于1 mA的束流.分析了真空度、高温清洁温度、铯氧激活工艺等因素对GaAs光阴极初始量子效率和使用寿命的影响.

English Abstract

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