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γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响

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朱小锋, 赵洪超, 周开明. 2009: γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响, 强激光与粒子束, 21(10): 1539-1541.
引用本文: 朱小锋, 赵洪超, 周开明. 2009: γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响, 强激光与粒子束, 21(10): 1539-1541.
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Zhu Xiaofeng, Zhao Hongchao, Zhou Kaiming. 2009: Pulse-width dependent radiation effects on electronic components, High Power Lase and Particle Beams, 21(10): 1539-1541.
Citation: Zhu Xiaofeng, Zhao Hongchao, Zhou Kaiming. 2009: Pulse-width dependent radiation effects on electronic components, High Power Lase and Particle Beams, 21(10): 1539-1541.
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γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响

  • 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

Pulse-width dependent radiation effects on electronic components

  • 摘要: 采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150 ns,剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异.实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响

  • 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

摘要: 采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150 ns,剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异.实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显.

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