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微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

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蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 廖华, 周军兰. 2009: 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟, 强激光与粒子束, 21(10): 1542-1546.
引用本文: 蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 廖华, 周军兰. 2009: 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟, 强激光与粒子束, 21(10): 1542-1546.
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Cai Houzhi, Liu Jinyuan, Niu Lihong, Liao Hua, Zhou Junlan. 2009: Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate, High Power Lase and Particle Beams, 21(10): 1542-1546.
Citation: Cai Houzhi, Liu Jinyuan, Niu Lihong, Liao Hua, Zhou Junlan. 2009: Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate, High Power Lase and Particle Beams, 21(10): 1542-1546.
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微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

  • 光电子器件与系统(教育部、广东省)重点实验室,深圳大学,深圳,518060

Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate

  • 摘要: 对微通道板的动态特性进行了数值模拟,得到了电子的渡越时间与入射时刻的关系曲线.获得了光电子的倍增次数随入射时刻而变化,并在考虑了入射电子为一高斯电子脉冲的情况下,分析了选通脉冲的幅度、宽度和波形对选通特性的影响.结果表明:随着倍增次数增多,渡越时间越大;当电压幅度不同时,增益曲线的峰值所对应的电子入射时刻也不同.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

  • 光电子器件与系统(教育部、广东省)重点实验室,深圳大学,深圳,518060

摘要: 对微通道板的动态特性进行了数值模拟,得到了电子的渡越时间与入射时刻的关系曲线.获得了光电子的倍增次数随入射时刻而变化,并在考虑了入射电子为一高斯电子脉冲的情况下,分析了选通脉冲的幅度、宽度和波形对选通特性的影响.结果表明:随着倍增次数增多,渡越时间越大;当电压幅度不同时,增益曲线的峰值所对应的电子入射时刻也不同.

English Abstract

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