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随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

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郭晓强, 郭红霞, 王桂珍, 林东生, 陈伟, 白小燕, 杨善潮, 刘岩. 2009: 随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应, 强激光与粒子束, 21(10): 1547-1550.
引用本文: 郭晓强, 郭红霞, 王桂珍, 林东生, 陈伟, 白小燕, 杨善潮, 刘岩. 2009: 随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应, 强激光与粒子束, 21(10): 1547-1550.
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Guo Xiaoqiang, Guo Hongxia, Wang Guizhen, Ling Dongsheng, Chen Wei, Bai Xiaoyan, Yang Shanchao, Liu Yan. 2009: Low-energy neutron-induced single-event upsets in static random access memory, High Power Lase and Particle Beams, 21(10): 1547-1550.
Citation: Guo Xiaoqiang, Guo Hongxia, Wang Guizhen, Ling Dongsheng, Chen Wei, Bai Xiaoyan, Yang Shanchao, Liu Yan. 2009: Low-energy neutron-induced single-event upsets in static random access memory, High Power Lase and Particle Beams, 21(10): 1547-1550.
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随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

  • 西北核技术研究所,西安,710024

Low-energy neutron-induced single-event upsets in static random access memory

  • 摘要: 建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13～1.50 μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势.研究结果表明:SRAM器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

  • 西北核技术研究所,西安,710024

摘要: 建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13～1.50 μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势.研究结果表明:SRAM器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高.

English Abstract

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