高级搜索

氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析

, 

downloadPDF

上一篇

下一篇

张丽莎, 许鸿. 2008: 氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析, 强激光与粒子束, 20(6): 894-898.
引用本文: 张丽莎, 许鸿. 2008: 氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析, 强激光与粒子束, 20(6): 894-898.
shu
ZHANG Li-sha, XU Hong. 2008: Influence of oxygen partial pressure on HfO2 residual stresses and its finite element analysis, High Power Lase and Particle Beams, 20(6): 894-898.
Citation: ZHANG Li-sha, XU Hong. 2008: Influence of oxygen partial pressure on HfO2 residual stresses and its finite element analysis, High Power Lase and Particle Beams, 20(6): 894-898.
shu

氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析

  • 中国科学院,光电技术研究所,成都,610209;中国科学院,研究生院,北京,100039

  • 中国科学院,光电技术研究所,成都,610209

Influence of oxygen partial pressure on HfO2 residual stresses and its finite element analysis

  • 摘要: 利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜,控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下).利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化,代入Stoney公式计算出残余应力,分析了不同氧压下残余应力的变化情况.随着氧压的增大,残余应力由张应力逐渐过渡到压应力,当氧压过大时,压应力减小.因此可以通过改变氧压来控制应力.应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射图(XRD),发现均为非晶结构.利用Ansys建立基片-薄膜有限元模型,将应力作用下基片的形变与实验结果进行对比,验证所建立的模型,为分析HfO2/SiO2膜堆应力的匹配设计提供参考.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  471
  • HTML全文浏览数:  145
  • PDF下载数:  41
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2008-06-30

氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析

  • 中国科学院,光电技术研究所,成都,610209;中国科学院,研究生院,北京,100039
  • 中国科学院,光电技术研究所,成都,610209

摘要: 利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜,控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下).利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化,代入Stoney公式计算出残余应力,分析了不同氧压下残余应力的变化情况.随着氧压的增大,残余应力由张应力逐渐过渡到压应力,当氧压过大时,压应力减小.因此可以通过改变氧压来控制应力.应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射图(XRD),发现均为非晶结构.利用Ansys建立基片-薄膜有限元模型,将应力作用下基片的形变与实验结果进行对比,验证所建立的模型,为分析HfO2/SiO2膜堆应力的匹配设计提供参考.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回