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负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响

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段玲珑, 吴卫东, 何智兵, 许华, 唐永建, 徐金城. 2008: 负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响, 强激光与粒子束, 20(3): 505-508.
引用本文: 段玲珑, 吴卫东, 何智兵, 许华, 唐永建, 徐金城. 2008: 负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响, 强激光与粒子束, 20(3): 505-508.
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DUAN Ling-long, WU Wei-dong, HE Zhi-bing, XU Hua, TANG Yong-jian, XU Jin-cheng. 2008: Effects of negative bias on structure and surface topography of Titanium films deposited by DC magnetron sputtering, High Power Lase and Particle Beams, 20(3): 505-508.
Citation: DUAN Ling-long, WU Wei-dong, HE Zhi-bing, XU Hua, TANG Yong-jian, XU Jin-cheng. 2008: Effects of negative bias on structure and surface topography of Titanium films deposited by DC magnetron sputtering, High Power Lase and Particle Beams, 20(3): 505-508.
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负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响

  • 兰州大学,物理科学与技术学院,材料物理与化学实验室,兰州,730000;中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;中国工程物理研究院,科技信息中心,四川,绵阳,621900

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

  • 兰州大学,物理科学与技术学院,材料物理与化学实验室,兰州,730000

Effects of negative bias on structure and surface topography of Titanium films deposited by DC magnetron sputtering

  • 摘要: 采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜,研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响.随着偏压逐渐增大,Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0～-40 V之间沉积速率基本不变;-40～-80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓.Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度.加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40 W和100 W的溅射功率,负偏压分别在-100 V和-80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-03-30

负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响

  • 兰州大学,物理科学与技术学院,材料物理与化学实验室,兰州,730000;中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;中国工程物理研究院,科技信息中心,四川,绵阳,621900
  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 兰州大学,物理科学与技术学院,材料物理与化学实验室,兰州,730000

摘要: 采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜,研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响.随着偏压逐渐增大,Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0～-40 V之间沉积速率基本不变;-40～-80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓.Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度.加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40 W和100 W的溅射功率,负偏压分别在-100 V和-80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜.

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