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1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟

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袁晓东, 李绪平, 郑万国, 祖小涛, 向霞, 蒋晓东, 尹烨, 徐世珍, 郭袁俊, 田东斌, 王毕艺. 2008: 1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟, 强激光与粒子束, 20(3): 509-512.
引用本文: 袁晓东, 李绪平, 郑万国, 祖小涛, 向霞, 蒋晓东, 尹烨, 徐世珍, 郭袁俊, 田东斌, 王毕艺. 2008: 1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟, 强激光与粒子束, 20(3): 509-512.
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YUAN Xiao-dong, LI Xu-ping, ZHENG Wan-guo, ZU Xiao-tao, XIANG Xia, JIANG Xiao-dong, YIN Hua, XU Shi-zhen, GUO Yuan-jun, TIAN Dong-bin, WANG Bi-yi. 2008: Ripple damage mechanism of SiO2 film induced by 1.064 μm pulsed laser, High Power Lase and Particle Beams, 20(3): 509-512.
Citation: YUAN Xiao-dong, LI Xu-ping, ZHENG Wan-guo, ZU Xiao-tao, XIANG Xia, JIANG Xiao-dong, YIN Hua, XU Shi-zhen, GUO Yuan-jun, TIAN Dong-bin, WANG Bi-yi. 2008: Ripple damage mechanism of SiO2 film induced by 1.064 μm pulsed laser, High Power Lase and Particle Beams, 20(3): 509-512.
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1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;电子科技大学,物理电子学院,成都,610054

  • 电子科技大学,物理电子学院,成都,610054

Ripple damage mechanism of SiO2 film induced by 1.064 μm pulsed laser

  • 摘要: 用1.064 μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层SiO2薄膜进行了辐照损伤实验.以扫描电镜对K9基底的断面进行分析,并采用表面热透镜装置对膜层中的缺陷进行了检测,最后采用Matlab偏微分工具箱对缺陷的散射光光场进行了有限元模拟.实验研究表明:膜层中存在缺陷,基底中也存在大量缺陷.模拟研究表明:缺陷的位置越深,形成的条纹间距也越宽;当缺陷的形状不规则时,在局部出现近似平行的纹波结构;当缺陷的数目增加时,这些缺陷的散射光的叠加就形成相互叠加的条纹.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-03-30

1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;电子科技大学,物理电子学院,成都,610054
  • 电子科技大学,物理电子学院,成都,610054

摘要: 用1.064 μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层SiO2薄膜进行了辐照损伤实验.以扫描电镜对K9基底的断面进行分析,并采用表面热透镜装置对膜层中的缺陷进行了检测,最后采用Matlab偏微分工具箱对缺陷的散射光光场进行了有限元模拟.实验研究表明:膜层中存在缺陷,基底中也存在大量缺陷.模拟研究表明:缺陷的位置越深,形成的条纹间距也越宽;当缺陷的形状不规则时,在局部出现近似平行的纹波结构;当缺陷的数目增加时,这些缺陷的散射光的叠加就形成相互叠加的条纹.

English Abstract

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