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高压串级延迟击穿开关在快前沿脉冲触发源中的应用

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孙铁平, 韩娟娟, 吴撼宇, 黄涛, 张国伟, 丛培天, 蒯斌, 曾正中. 2007: 高压串级延迟击穿开关在快前沿脉冲触发源中的应用, 强激光与粒子束, 19(10): 1744-1746.
引用本文: 孙铁平, 韩娟娟, 吴撼宇, 黄涛, 张国伟, 丛培天, 蒯斌, 曾正中. 2007: 高压串级延迟击穿开关在快前沿脉冲触发源中的应用, 强激光与粒子束, 19(10): 1744-1746.
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SUN Tie-ping, HAN Juan-juan, WU Han-yu, HUANG Tao, ZHANG Guo-wei, CONG Pei-tian, KUAI Bin, ZENG Zheng-zhong. 2007: Series-connected high voltage delayed breakdown device switches applied to pulse trigger generator for fast risetime, High Power Lase and Particle Beams, 19(10): 1744-1746.
Citation: SUN Tie-ping, HAN Juan-juan, WU Han-yu, HUANG Tao, ZHANG Guo-wei, CONG Pei-tian, KUAI Bin, ZENG Zheng-zhong. 2007: Series-connected high voltage delayed breakdown device switches applied to pulse trigger generator for fast risetime, High Power Lase and Particle Beams, 19(10): 1744-1746.
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高压串级延迟击穿开关在快前沿脉冲触发源中的应用

  • 西北核技术研究所,西安,710024

Series-connected high voltage delayed breakdown device switches applied to pulse trigger generator for fast risetime

  • 摘要: 报导了一种高压串级延迟击穿(DBD)开关在快脉冲触发源中的应用,介绍了脉冲源的电路结构和工作原理,并将DBD开关成功应用于快前沿脉冲触发源,获得了明显的脉冲陡化效果.串级DBD开关的级数为15级,直流击穿电压45 kV,脉冲工作电压60 kV,脉冲前沿由95 ns减小到21.5 ns,脉冲宽度50 ns.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-10-30

高压串级延迟击穿开关在快前沿脉冲触发源中的应用

  • 西北核技术研究所,西安,710024

摘要: 报导了一种高压串级延迟击穿(DBD)开关在快脉冲触发源中的应用,介绍了脉冲源的电路结构和工作原理,并将DBD开关成功应用于快前沿脉冲触发源,获得了明显的脉冲陡化效果.串级DBD开关的级数为15级,直流击穿电压45 kV,脉冲工作电压60 kV,脉冲前沿由95 ns减小到21.5 ns,脉冲宽度50 ns.

English Abstract

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