NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究

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詹勇军, 吴卫东, 王锋, 白黎, 唐永建, 谌家军. 2007: NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究, 强激光与粒子束, 19(4): 633-637.
引用本文: 詹勇军, 吴卫东, 王锋, 白黎, 唐永建, 谌家军. 2007: NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究, 强激光与粒子束, 19(4): 633-637.
ZHAN Yong-jun, WU Wei-dong, WANG Feng, BAI Li, TANG Yong-jian, CHEN Jia-jun. 2007: Microstructure and fabrication of NaF film by pulsed laser deposition, High Power Lase and Particle Beams, 19(4): 633-637.
Citation: ZHAN Yong-jun, WU Wei-dong, WANG Feng, BAI Li, TANG Yong-jian, CHEN Jia-jun. 2007: Microstructure and fabrication of NaF film by pulsed laser deposition, High Power Lase and Particle Beams, 19(4): 633-637.

NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究

Microstructure and fabrication of NaF film by pulsed laser deposition

  • 摘要: 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜.在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5 Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响.台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol.原子力显微镜分析表明:薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm.扫描电镜截面微观形貌分析表明:薄膜呈现柱状结构.X射线衍射分析表明:NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400 ℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%).
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-04-30

NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;西华师范大学,物理与电子信息学院,四川,南充,637002
  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;四川大学,原子与分子物理研究所,成都,610065
  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 西华师范大学,物理与电子信息学院,四川,南充,637002

摘要: 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜.在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5 Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响.台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol.原子力显微镜分析表明:薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm.扫描电镜截面微观形貌分析表明:薄膜呈现柱状结构.X射线衍射分析表明:NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400 ℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%).

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