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基极注入强电磁脉冲对双极型晶体管的作用

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陈曦, 杜正伟, 龚克. 2007: 基极注入强电磁脉冲对双极型晶体管的作用, 强激光与粒子束, 19(3): 449-452.
引用本文: 陈曦, 杜正伟, 龚克. 2007: 基极注入强电磁脉冲对双极型晶体管的作用, 强激光与粒子束, 19(3): 449-452.
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CHEN Xi, DU Zheng-wei, GONG Ke. 2007: Effects of high power electromagnetic pulse injected from base on bipolar junction transistor, High Power Lase and Particle Beams, 19(3): 449-452.
Citation: CHEN Xi, DU Zheng-wei, GONG Ke. 2007: Effects of high power electromagnetic pulse injected from base on bipolar junction transistor, High Power Lase and Particle Beams, 19(3): 449-452.
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基极注入强电磁脉冲对双极型晶体管的作用

  • 清华大学,电子工程系,微波与数字通信技术国家重点实验室,北京,100084

Effects of high power electromagnetic pulse injected from base on bipolar junction transistor

  • 摘要: 空间电磁脉冲注入硅双极型晶体管后可能会导致晶体管烧毁.借助2维数值仿真和理论分析研究了基极注入短电磁脉冲对双极型晶体管的作用,得出结论:晶体管的热斑位于基极边缘,由于该点既是电场峰所在,又是电流最密集之处,热量产生集中,因此基极注入脉冲使晶体管烧毁所需的能量比其它两电极注入要少;在基极注入短脉冲作用下,晶体管烧毁所需能量几乎不随脉冲宽度变化;烧毁所需脉冲功率近似与脉冲宽度成反比.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-03-30

基极注入强电磁脉冲对双极型晶体管的作用

  • 清华大学,电子工程系,微波与数字通信技术国家重点实验室,北京,100084

摘要: 空间电磁脉冲注入硅双极型晶体管后可能会导致晶体管烧毁.借助2维数值仿真和理论分析研究了基极注入短电磁脉冲对双极型晶体管的作用,得出结论:晶体管的热斑位于基极边缘,由于该点既是电场峰所在,又是电流最密集之处,热量产生集中,因此基极注入脉冲使晶体管烧毁所需的能量比其它两电极注入要少;在基极注入短脉冲作用下,晶体管烧毁所需能量几乎不随脉冲宽度变化;烧毁所需脉冲功率近似与脉冲宽度成反比.

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