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溅射功率对直流磁控溅射Ti膜结构的影响

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程丙勋, 吴卫东, 何智兵, 许华, 唐永建, 卢铁城. 2006: 溅射功率对直流磁控溅射Ti膜结构的影响, 强激光与粒子束, 18(6): 961-964.
引用本文: 程丙勋, 吴卫东, 何智兵, 许华, 唐永建, 卢铁城. 2006: 溅射功率对直流磁控溅射Ti膜结构的影响, 强激光与粒子束, 18(6): 961-964.
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CHENG Bing-xun, WU Wei-dong, HE Zhi-bing, XU Hua, TANG Yong-jian, LU Tie-cheng. 2006: Effects of sputtering power on structure and properties of Ti films deposited by DC magnetron sputtering, High Power Lase and Particle Beams, 18(6): 961-964.
Citation: CHENG Bing-xun, WU Wei-dong, HE Zhi-bing, XU Hua, TANG Yong-jian, LU Tie-cheng. 2006: Effects of sputtering power on structure and properties of Ti films deposited by DC magnetron sputtering, High Power Lase and Particle Beams, 18(6): 961-964.
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溅射功率对直流磁控溅射Ti膜结构的影响

  • 四川大学,物理系,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900

  • 四川大学,物理系,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;中国科学院,国际材料物理中心,沈阳,110015

Effects of sputtering power on structure and properties of Ti films deposited by DC magnetron sputtering

  • 摘要: 采用直流磁控溅射方法制备了纯Ti膜,研究了不同功率下Ti膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其应力进行了研究.研究表明:薄膜的沉积速率随溅射功率的增加而增加,当溅射功率为20 W时,原子力显微镜(AFM)图像显示Ti膜光洁、致密,均方根粗糙度最小可达0.9 nm.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的晶体结构为六方晶型,Ti膜应力先随溅射功率增大而增大,在60 W时达到最大值(为945.1 MPa),之后随溅射功率的增大有所减小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-06-30

溅射功率对直流磁控溅射Ti膜结构的影响

  • 四川大学,物理系,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 四川大学,物理系,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;中国科学院,国际材料物理中心,沈阳,110015

摘要: 采用直流磁控溅射方法制备了纯Ti膜,研究了不同功率下Ti膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其应力进行了研究.研究表明:薄膜的沉积速率随溅射功率的增加而增加,当溅射功率为20 W时,原子力显微镜(AFM)图像显示Ti膜光洁、致密,均方根粗糙度最小可达0.9 nm.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的晶体结构为六方晶型,Ti膜应力先随溅射功率增大而增大,在60 W时达到最大值(为945.1 MPa),之后随溅射功率的增大有所减小.

English Abstract

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