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不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响

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董磊, 赵元安, 易葵, 邵建达, 范正修. 2005: 不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响, 强激光与粒子束, 17(10): 1518-1522.
引用本文: 董磊, 赵元安, 易葵, 邵建达, 范正修. 2005: 不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响, 强激光与粒子束, 17(10): 1518-1522.
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DONG Lei, ZHAO Yuan-an, YI Kui, SHAO Jian-da, FAN Zheng-Xiu. 2005: Influence of different kinds of evaporation sources on films uniformity, High Power Lase and Particle Beams, 17(10): 1518-1522.
Citation: DONG Lei, ZHAO Yuan-an, YI Kui, SHAO Jian-da, FAN Zheng-Xiu. 2005: Influence of different kinds of evaporation sources on films uniformity, High Power Lase and Particle Beams, 17(10): 1518-1522.
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不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响

  • 中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800

Influence of different kinds of evaporation sources on films uniformity

  • 摘要: 分析了几种可能的实际蒸发源与薄膜均匀性的关系,其中包括扩展的平面蒸发源和曲面蒸发源.通过实验论证了薄膜均匀性对蒸发源尺寸和蒸发特性的依赖关系.得到的分析结果表明:当蒸发源半径和夹具高度的比值小于1/17时,蒸发源可以被视为一个点面源;大于 1/10时,应当把蒸发源视为面面源进行考虑.当挖坑深度和蒸发源半径的比值介于0和0.5之间时,挖坑对薄膜均匀性造成的影响基本可以忽略;大于0.6时,挖坑效应明显影响薄膜的均匀性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-10-30

不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响

  • 中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800

摘要: 分析了几种可能的实际蒸发源与薄膜均匀性的关系,其中包括扩展的平面蒸发源和曲面蒸发源.通过实验论证了薄膜均匀性对蒸发源尺寸和蒸发特性的依赖关系.得到的分析结果表明:当蒸发源半径和夹具高度的比值小于1/17时,蒸发源可以被视为一个点面源;大于 1/10时,应当把蒸发源视为面面源进行考虑.当挖坑深度和蒸发源半径的比值介于0和0.5之间时,挖坑对薄膜均匀性造成的影响基本可以忽略;大于0.6时,挖坑效应明显影响薄膜的均匀性.

English Abstract

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