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60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷

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王治国, 祖小涛, 雷雨, 莫华强, 傅永庆. 2004: 60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷, 强激光与粒子束, 16(11): 1473-1476.
引用本文: 王治国, 祖小涛, 雷雨, 莫华强, 傅永庆. 2004: 60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷, 强激光与粒子束, 16(11): 1473-1476.
shu
2004: Influence of 60keV proton irradiation on the transformation behavior of a TiNi shape memory alloy thin film, High Power Lase and Particle Beams, 16(11): 1473-1476.
Citation: 2004: Influence of 60keV proton irradiation on the transformation behavior of a TiNi shape memory alloy thin film, High Power Lase and Particle Beams, 16(11): 1473-1476.
shu

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷

  • 电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054

  • Department of Engineering,University of Cambridge,Trumpington Street,CB2,1PZ,Cambridge,UK

Influence of 60keV proton irradiation on the transformation behavior of a TiNi shape memory alloy thin film

  • 摘要: 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征.通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Ar的下降,而对R相变开始R,和结束温度Rr影响不大.掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成.H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-11-30

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷

  • 电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054
  • Department of Engineering,University of Cambridge,Trumpington Street,CB2,1PZ,Cambridge,UK

摘要: 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征.通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Ar的下降,而对R相变开始R,和结束温度Rr影响不大.掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成.H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素.

English Abstract

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