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基于MOSFET的固体开关技术实验研究

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赵军平, 章林文, 李劲. 2004: 基于MOSFET的固体开关技术实验研究, 强激光与粒子束, 16(11): 1481-1484.
引用本文: 赵军平, 章林文, 李劲. 2004: 基于MOSFET的固体开关技术实验研究, 强激光与粒子束, 16(11): 1481-1484.
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2004: Experiment on MOSFET solid state switch, High Power Lase and Particle Beams, 16(11): 1481-1484.
Citation: 2004: Experiment on MOSFET solid state switch, High Power Lase and Particle Beams, 16(11): 1481-1484.
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基于MOSFET的固体开关技术实验研究

  • 中国工程物理研究院,流体物理研究所106室,四川,绵阳,621900

Experiment on MOSFET solid state switch

  • 摘要: 采用两只1kV MOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术.单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出.两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出.两器件串联开关获得了1.6kV,2MHz重复频率脉冲串输出.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-11-30

基于MOSFET的固体开关技术实验研究

  • 中国工程物理研究院,流体物理研究所106室,四川,绵阳,621900

摘要: 采用两只1kV MOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术.单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出.两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出.两器件串联开关获得了1.6kV,2MHz重复频率脉冲串输出.

English Abstract

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