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退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

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王圣来, 王波, 张光辉, 牛爱芹, 尹鑫, 高樟寿, 房昌水, 孙洵, 李义平. 2004: 退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究, 强激光与粒子束, 16(4): 437-440.
引用本文: 王圣来, 王波, 张光辉, 牛爱芹, 尹鑫, 高樟寿, 房昌水, 孙洵, 李义平. 2004: 退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究, 强激光与粒子束, 16(4): 437-440.
shu
2004: Study on improvement of the homogeneity of KDP crystals by annealing, High Power Lase and Particle Beams, 16(4): 437-440.
Citation: 2004: Study on improvement of the homogeneity of KDP crystals by annealing, High Power Lase and Particle Beams, 16(4): 437-440.
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退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

  • 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

  • 山东轻工业学院,山东,济南,250100

Study on improvement of the homogeneity of KDP crystals by annealing

  • 摘要: 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性.实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线.但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-04-30

退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

  • 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100
  • 山东轻工业学院,山东,济南,250100

摘要: 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性.实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线.但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低.

English Abstract

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