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非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20（ST-BT）的正电子湮没谱学研究

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张丽娟, 王力海, 刘建党, 李强, 成斌, 张杰, 安然, 赵明磊, 叶邦角. 2012: 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20（ST-BT）的正电子湮没谱学研究, 物理学报, 61(23): 484-489.
引用本文: 张丽娟, 王力海, 刘建党, 李强, 成斌, 张杰, 安然, 赵明磊, 叶邦角. 2012: 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20（ST-BT）的正电子湮没谱学研究, 物理学报, 61(23): 484-489.
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2012: Positron annihilation spectrum study in non-ferroelectric piezoelectricity SrTiO3-Bi12TiO20 (ST-BT) composite ceramics, Acta Physica Sinica, 61(23): 484-489.
Citation: 2012: Positron annihilation spectrum study in non-ferroelectric piezoelectricity SrTiO3-Bi12TiO20 (ST-BT) composite ceramics, Acta Physica Sinica, 61(23): 484-489.
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非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20（ST-BT）的正电子湮没谱学研究

  • 中国科学技术大学近代物理系,合肥,230026

  • 山东大学物理学院,晶体材料国家重点实验室,济南250100

Positron annihilation spectrum study in non-ferroelectric piezoelectricity SrTiO3-Bi12TiO20 (ST-BT) composite ceramics

  • 摘要: 采用传统陶瓷烧结工艺成功制备出新型非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bil2TiO20（ST-BT），利用正电子湮没技术，对ST-BT复合陶瓷烧结过程进行了研究，讨论了烧结过程中材料内部的缺陷变化特征，给出了烧结温度对该复合陶瓷结晶度和缺陷结构的影响．发现烧结温度在860L-940℃，烧结时间为3h的实验条件下，ST-BT复合陶瓷已趋于稳定，出现了大量的单空位型缺陷．烧结温度超过980℃将引起Bil2Ti020相的大量分解，杂相的出现造成缺陷的聚集，形成大尺度的微空洞．实验结果表明，烧结温度在920-940℃的烧结条件下，ST-BT复合陶瓷的结构特性及压电性能均表现出较好的稳定性．
    Abstract: The positron annihilation lifetime spectroscopy, combined with X-ray diffraction and scanning electron microscopy is used to measure a new type of non-ferroelectric piezoelectricity SrTiO3-Bi12TiO20 (ST-BT) composite ceramic, which is prepared by conven- tional solid-state reaction in Shandong University. The structural characteristics and sinter process for ST-BT composite ceramic are systematically studied. A large number of crystal defects are observed in ST-BT composite ceramic with the sintering temperature be- ing between 860 to 940 ℃. The large scale defects are formed due to the Bi12TiO2o phase decomposed when the sintering temperature rises to 980 ℃. The experimental results indicate that the structural characteristic and piezoelectricity of ST-BT composite ceramic shows good stability with the sintering temperature being between 920 to 940 ℃.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-12-15

非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20（ST-BT）的正电子湮没谱学研究

  • 中国科学技术大学近代物理系,合肥,230026
  • 山东大学物理学院,晶体材料国家重点实验室,济南250100

摘要: 采用传统陶瓷烧结工艺成功制备出新型非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bil2TiO20（ST-BT），利用正电子湮没技术，对ST-BT复合陶瓷烧结过程进行了研究，讨论了烧结过程中材料内部的缺陷变化特征，给出了烧结温度对该复合陶瓷结晶度和缺陷结构的影响．发现烧结温度在860L-940℃，烧结时间为3h的实验条件下，ST-BT复合陶瓷已趋于稳定，出现了大量的单空位型缺陷．烧结温度超过980℃将引起Bil2Ti020相的大量分解，杂相的出现造成缺陷的聚集，形成大尺度的微空洞．实验结果表明，烧结温度在920-940℃的烧结条件下，ST-BT复合陶瓷的结构特性及压电性能均表现出较好的稳定性．

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