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Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性

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张凤奎, 丁永杰. 2011: Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性, 物理学报, 60(6): 459-463.
引用本文: 张凤奎, 丁永杰. 2011: Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性, 物理学报, 60(6): 459-463.
shu
Zhang Feng-Kui, Ding Yong-Jie. 2011: Features of electron-wall collision frequency with saturated sheath in Hall thruster, Acta Physica Sinica, 60(6): 459-463.
Citation: Zhang Feng-Kui, Ding Yong-Jie. 2011: Features of electron-wall collision frequency with saturated sheath in Hall thruster, Acta Physica Sinica, 60(6): 459-463.
shu

Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性

  • ,哈尔滨工程大学航天与建筑工程学院,哈尔滨150001

  • ,哈尔滨工业大学能源科学与工程学院,哈尔滨150001

Features of electron-wall collision frequency with saturated sheath in Hall thruster

  • 摘要: 利用二维粒子模拟方法研究Hall推力器内电子与壁面的碰撞频率.研究发现,饱和鞘层状态下的电子与壁面的碰撞频率较经典鞘层下大大增加,甚至高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率两个数量级,这样饱和鞘层状态下电子与壁面的碰撞频率对近壁电流的贡献将不容忽略.进一步分析造成饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率增加的原因后认为,饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率的增加是鞘层电势降过低和壁面发射的二次电子同流造成的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-06-30

Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性

  • ,哈尔滨工程大学航天与建筑工程学院,哈尔滨150001
  • ,哈尔滨工业大学能源科学与工程学院,哈尔滨150001

摘要: 利用二维粒子模拟方法研究Hall推力器内电子与壁面的碰撞频率.研究发现,饱和鞘层状态下的电子与壁面的碰撞频率较经典鞘层下大大增加,甚至高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率两个数量级,这样饱和鞘层状态下电子与壁面的碰撞频率对近壁电流的贡献将不容忽略.进一步分析造成饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率增加的原因后认为,饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率的增加是鞘层电势降过低和壁面发射的二次电子同流造成的.

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