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高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

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秦杰明, 张莹, 曹建明, 田立飞, 董中伟, 李岳. 2011: 高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征, 物理学报, 60(3): 431-435.
引用本文: 秦杰明, 张莹, 曹建明, 田立飞, 董中伟, 李岳. 2011: 高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征, 物理学报, 60(3): 431-435.
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Qin Jie-Ming, Zhang Ying, Cao Jian-Ming, Tian Li-Fei, Dong Zhong-Wei, Li Yue. 2011: Characterization of the transparent n-type ZnO ceramic with low resistivity prepared under high pressure, Acta Physica Sinica, 60(3): 431-435.
Citation: Qin Jie-Ming, Zhang Ying, Cao Jian-Ming, Tian Li-Fei, Dong Zhong-Wei, Li Yue. 2011: Characterization of the transparent n-type ZnO ceramic with low resistivity prepared under high pressure, Acta Physica Sinica, 60(3): 431-435.
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高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

  • 长春理工大学材料科学与工程学院,长春130022;内蒙古民族大学,通辽028043

  • 长春理工大学材料科学与工程学院,长春,130022

Characterization of the transparent n-type ZnO ceramic with low resistivity prepared under high pressure

  • 摘要: 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,迁移率为23 cm2·V-1·s-1,良好的n型导电性来自于Zn1和Vo施主缺陷的贡献.本文的结果对ZnO陶瓷在紫外发光等光电子器件领域的应用具有重要意义.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-03-30

高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

  • 长春理工大学材料科学与工程学院,长春130022;内蒙古民族大学,通辽028043
  • 长春理工大学材料科学与工程学院,长春,130022

摘要: 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,迁移率为23 cm2·V-1·s-1,良好的n型导电性来自于Zn1和Vo施主缺陷的贡献.本文的结果对ZnO陶瓷在紫外发光等光电子器件领域的应用具有重要意义.

English Abstract

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