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静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究

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高博, 余学峰, 任迪远, 李豫东, 崔江维, 李茂顺, 李明, 王义元. 2011: 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究, 物理学报, 60(3): 436-441.
引用本文: 高博, 余学峰, 任迪远, 李豫东, 崔江维, 李茂顺, 李明, 王义元. 2011: 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究, 物理学报, 60(3): 436-441.
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Gao Bo, Yu Xue-Feng, Ren Di-Yuan, Li Yu-Dong, Cui Jiang-Wei, Li Mao-Shun, Li Ming, Wang Yi-Yuan. 2011: Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array, Acta Physica Sinica, 60(3): 436-441.
Citation: Gao Bo, Yu Xue-Feng, Ren Di-Yuan, Li Yu-Dong, Cui Jiang-Wei, Li Mao-Shun, Li Ming, Wang Yi-Yuan. 2011: Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array, Acta Physica Sinica, 60(3): 436-441.
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静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;中国科学院研究生院,北京100049

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011

Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array

  • 摘要: 本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-03-30

静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;中国科学院研究生院,北京100049
  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011

摘要: 本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小.

English Abstract

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