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超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

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苏平, 龚敏, 马瑶, 高博, 石瑞英, 陈昶, 史同飞, 曹先存, 孟祥豪, 罗代升. 2011: 超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究, 物理学报, 60(2): 576-581.
引用本文: 苏平, 龚敏, 马瑶, 高博, 石瑞英, 陈昶, 史同飞, 曹先存, 孟祥豪, 罗代升. 2011: 超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究, 物理学报, 60(2): 576-581.
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Su Ping, Gong Min, Ma Yao, Gao Bo, Shi Rui-Ying, Chen Chang, Shi Tong-Fei, Cao Xian-Cun, Meng Xiang-Hao, Luo Dai-Sheng. 2011: The hole concentration and strain relaxation of ultrathin GaMnAs film, Acta Physica Sinica, 60(2): 576-581.
Citation: Su Ping, Gong Min, Ma Yao, Gao Bo, Shi Rui-Ying, Chen Chang, Shi Tong-Fei, Cao Xian-Cun, Meng Xiang-Hao, Luo Dai-Sheng. 2011: The hole concentration and strain relaxation of ultrathin GaMnAs film, Acta Physica Sinica, 60(2): 576-581.
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超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

  • 四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;四川大学电子信息学院,成都,610064

  • 四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064

  • 中国科学院固体物理所,合肥,230031

  • 成都理工大学油气藏地质及开发工程国家重点实验室,成都,610054

  • 四川大学电子信息学院,成都,610064

The hole concentration and strain relaxation of ultrathin GaMnAs film

  • 摘要: 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-02-28

超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

  • 四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;四川大学电子信息学院,成都,610064
  • 四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064
  • 中国科学院固体物理所,合肥,230031
  • 成都理工大学油气藏地质及开发工程国家重点实验室,成都,610054
  • 四川大学电子信息学院,成都,610064

摘要: 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.

English Abstract

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