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GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长

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王兵, 李志聪, 姚然, 梁萌, 闫发旺, 王国宏. 2011: GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长, 物理学报, 60(1): 473-478.
引用本文: 王兵, 李志聪, 姚然, 梁萌, 闫发旺, 王国宏. 2011: GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长, 物理学报, 60(1): 473-478.
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Wang Bing, Li Zhi-Cong, Yao Ran, Liang Meng, Yan Fa-Wang, Wang Guo-Hong. 2011: Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED, Acta Physica Sinica, 60(1): 473-478.
Citation: Wang Bing, Li Zhi-Cong, Yao Ran, Liang Meng, Yan Fa-Wang, Wang Guo-Hong. 2011: Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED, Acta Physica Sinica, 60(1): 473-478.
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GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长

  • 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京,100083

Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED

  • 摘要: 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%-30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-01-30

GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长

  • 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京,100083

摘要: 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%-30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率.

English Abstract

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