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反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

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周勋, 杨再荣, 罗子江, 贺业全, 何浩, 韦俊, 邓朝勇, 丁召. 2011: 反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究, 物理学报, 60(1): 479-483.
引用本文: 周勋, 杨再荣, 罗子江, 贺业全, 何浩, 韦俊, 邓朝勇, 丁召. 2011: 反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究, 物理学报, 60(1): 479-483.
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Zhou Xun, Yang Zai-Rong, Luo Zi-Jiang, He Ye-Quan, He Hao, Wei Jun, Deng Chao-Yong, Ding Zhao. 2011: Study on temperature calibration and surface phase transition of GaAs crystal substrate in MBE growth by RHEED real-time monitoring, Acta Physica Sinica, 60(1): 479-483.
Citation: Zhou Xun, Yang Zai-Rong, Luo Zi-Jiang, He Ye-Quan, He Hao, Wei Jun, Deng Chao-Yong, Ding Zhao. 2011: Study on temperature calibration and surface phase transition of GaAs crystal substrate in MBE growth by RHEED real-time monitoring, Acta Physica Sinica, 60(1): 479-483.
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反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

  • 贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳,550001

  • 贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025

  • 贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳,550001

Study on temperature calibration and surface phase transition of GaAs crystal substrate in MBE growth by RHEED real-time monitoring

  • 摘要: 以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-01-30

反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

  • 贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳,550001
  • 贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025
  • 贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳,550001

摘要: 以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.

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