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退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386nm和388nm发射峰的影响

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程萍, 张玉明, 张义门. 2011: 退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386nm和388nm发射峰的影响, 物理学报, 60(1): 539-542.
引用本文: 程萍, 张玉明, 张义门. 2011: 退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386nm和388nm发射峰的影响, 物理学报, 60(1): 539-542.
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Cheng Ping, Zhang Yu-Ming, Zhang Yi-Men. 2011: Effect of annealing treatment on the 386 nm and 388 nm emission peaks in unintentionally doped 4H-SiC epilayer, Acta Physica Sinica, 60(1): 539-542.
Citation: Cheng Ping, Zhang Yu-Ming, Zhang Yi-Men. 2011: Effect of annealing treatment on the 386 nm and 388 nm emission peaks in unintentionally doped 4H-SiC epilayer, Acta Physica Sinica, 60(1): 539-542.
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退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386nm和388nm发射峰的影响

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Effect of annealing treatment on the 386 nm and 388 nm emission peaks in unintentionally doped 4H-SiC epilayer

  • 摘要: 10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370-400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于-3.21 eV和～3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.退火温度为1573 K时,随着退火时间的延长,PL结果与30 min退火的变化趋势一致.相同的退火条件下,386 nm和388 nm两个发射峰的低温PL结果与材料中本征缺陷的PL结果一致,是它们微扰势相互作用的结果.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-01-30

退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386nm和388nm发射峰的影响

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370-400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于-3.21 eV和～3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.退火温度为1573 K时,随着退火时间的延长,PL结果与30 min退火的变化趋势一致.相同的退火条件下,386 nm和388 nm两个发射峰的低温PL结果与材料中本征缺陷的PL结果一致,是它们微扰势相互作用的结果.

English Abstract

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