基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极

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潘金艳, 张文彦, 高云龙. 2010: 基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极, 物理学报, 59(12): 8762-8769.
引用本文: 潘金艳, 张文彦, 高云龙. 2010: 基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极, 物理学报, 59(12): 8762-8769.
Pan Jin-Yan, Zhang Wen-Yan, Gao Yun-Long. 2010: High luminance carbon nanotube field emission cold cathode based on indium tin oxide/Ti composite electrode, Acta Physica Sinica, 59(12): 8762-8769.
Citation: Pan Jin-Yan, Zhang Wen-Yan, Gao Yun-Long. 2010: High luminance carbon nanotube field emission cold cathode based on indium tin oxide/Ti composite electrode, Acta Physica Sinica, 59(12): 8762-8769.

基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极

High luminance carbon nanotube field emission cold cathode based on indium tin oxide/Ti composite electrode

  • 摘要: 通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能.从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了ITO/Ti基CNT阴极.用X射线衍射仪和场致发射扫描电子显微镜表征CNT阴极结构,结果显示热处理后的ITO/Ti基CNT阴极中可能有TiC相生成,从而使得导电电极与CNT形成有中间物的强作用体系.该体系降低甚至消除电极与CNT之间的界面势垒,增加了CNT与电极间形成欧姆接触的概率.用四探针技术分析电阻率,结果表明ITO/Ti复合电极具有电阻并联效果,CNT阴极导电性能提高.场致发射特性测试表明ITO/Ti基CNT阴极的场致发射电流达到384 μA/cm2,较普通ITO基CNT阴极的场致发射电流有显著提高,能够激发测试阳极发出均匀、稳定的高亮度荧光.制作ITO/Ti复合电极是实现场致发射稳定、均匀的低功耗CNT阴极的有效途径.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-12-30

基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极

  • 集美大学信息工程学院,厦门,361021
  • 西北有色金属研究院,西安,710016
  • 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,西安,710049

摘要: 通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能.从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了ITO/Ti基CNT阴极.用X射线衍射仪和场致发射扫描电子显微镜表征CNT阴极结构,结果显示热处理后的ITO/Ti基CNT阴极中可能有TiC相生成,从而使得导电电极与CNT形成有中间物的强作用体系.该体系降低甚至消除电极与CNT之间的界面势垒,增加了CNT与电极间形成欧姆接触的概率.用四探针技术分析电阻率,结果表明ITO/Ti复合电极具有电阻并联效果,CNT阴极导电性能提高.场致发射特性测试表明ITO/Ti基CNT阴极的场致发射电流达到384 μA/cm2,较普通ITO基CNT阴极的场致发射电流有显著提高,能够激发测试阳极发出均匀、稳定的高亮度荧光.制作ITO/Ti复合电极是实现场致发射稳定、均匀的低功耗CNT阴极的有效途径.

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