高级搜索

变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究

,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

唐正霞, 沈鸿烈, 江丰, 方茹, 鲁林峰, 黄海宾, 蔡红. 2010: 变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究, 物理学报, 59(12): 8770-8775.
引用本文: 唐正霞, 沈鸿烈, 江丰, 方茹, 鲁林峰, 黄海宾, 蔡红. 2010: 变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究, 物理学报, 59(12): 8770-8775.
shu
Tang Zheng-Xia, Shen Hong-Lie, Jiang Feng, Fang Ru, Lu Lin-Feng, Huang Hai-Bin, Cai Hong. 2010: Mechanism of large grain polycrystalline Si preparation by aluminum induced crystallization with temperature gradient profile, Acta Physica Sinica, 59(12): 8770-8775.
Citation: Tang Zheng-Xia, Shen Hong-Lie, Jiang Feng, Fang Ru, Lu Lin-Feng, Huang Hai-Bin, Cai Hong. 2010: Mechanism of large grain polycrystalline Si preparation by aluminum induced crystallization with temperature gradient profile, Acta Physica Sinica, 59(12): 8770-8775.
shu

变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究

  • 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016

Mechanism of large grain polycrystalline Si preparation by aluminum induced crystallization with temperature gradient profile

  • 摘要: 为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明.当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  428
  • HTML全文浏览数:  124
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2010-12-30

变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究

  • 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016

摘要: 为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明.当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回