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ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中界面结构对发光特性的影响

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冀子武, 郑雨军, 徐现刚, 鲁云. 2010: ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中界面结构对发光特性的影响, 物理学报, 59(11): 7986-7990.
引用本文: 冀子武, 郑雨军, 徐现刚, 鲁云. 2010: ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中界面结构对发光特性的影响, 物理学报, 59(11): 7986-7990.
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Ji Zi-Wu, Zheng Yu-Jun, Xu Xian-Gang, Lu Yun. 2010: Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-Ⅱ quantum wells, Acta Physica Sinica, 59(11): 7986-7990.
Citation: Ji Zi-Wu, Zheng Yu-Jun, Xu Xian-Gang, Lu Yun. 2010: Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-Ⅱ quantum wells, Acta Physica Sinica, 59(11): 7986-7990.
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ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中界面结构对发光特性的影响

  • 山东大学物理学院,济南,250100

  • 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

  • 千叶大学大学院工学研究科,千叶,263-8522,日本

Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-Ⅱ quantum wells

  • 摘要: 报道了具有特殊界面结构(界面包含三个Zn-Te或Te-Zn化学键)的非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱在低温(5-10 K)条件下的空间间接光致发光(PL)光谱的实验结果.PL光谱显示了一个较弱的双峰结构和较低的线性偏振度,并且这两个峰的线性偏振度相反.此外,这个PL光谱也强烈地依赖于一个外加电场的变化.这些结果表明样品的两个发光峰是分别来自两个界面的发光跃迁,并且特殊界面结构降低了空间间接PL的发光效率和线性偏振性,以及界面附近的内秉电场.随着激发强度的增加,PL谱的高能端发光峰显示了一个快速的增长.这个行为被解释为与该发光峰对应的异质界面两侧已形成电荷高密度,并导致了费米边异常(Fermi-nergy edge sigularity)效应的发生.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-11-30

ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中界面结构对发光特性的影响

  • 山东大学物理学院,济南,250100
  • 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 千叶大学大学院工学研究科,千叶,263-8522,日本

摘要: 报道了具有特殊界面结构(界面包含三个Zn-Te或Te-Zn化学键)的非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱在低温(5-10 K)条件下的空间间接光致发光(PL)光谱的实验结果.PL光谱显示了一个较弱的双峰结构和较低的线性偏振度,并且这两个峰的线性偏振度相反.此外,这个PL光谱也强烈地依赖于一个外加电场的变化.这些结果表明样品的两个发光峰是分别来自两个界面的发光跃迁,并且特殊界面结构降低了空间间接PL的发光效率和线性偏振性,以及界面附近的内秉电场.随着激发强度的增加,PL谱的高能端发光峰显示了一个快速的增长.这个行为被解释为与该发光峰对应的异质界面两侧已形成电荷高密度,并导致了费米边异常(Fermi-nergy edge sigularity)效应的发生.

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