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镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究

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梁伟华, 丁学成, 褚立志, 邓泽超, 郭建新, 吴转花, 王英龙. 2010: 镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究, 物理学报, 59(11): 8071-8077.
引用本文: 梁伟华, 丁学成, 褚立志, 邓泽超, 郭建新, 吴转花, 王英龙. 2010: 镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究, 物理学报, 59(11): 8071-8077.
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Liang Wei-Hua, Ding Xue-Cheng, Chu Li-Zhi, Deng Ze-Chao, Guo Jian-Xin, Wu Zhuan-Hua, Wang Ying-Long. 2010: First-principles study of electronic and optical properties of Ni-doped silicon nanowires, Acta Physica Sinica, 59(11): 8071-8077.
Citation: Liang Wei-Hua, Ding Xue-Cheng, Chu Li-Zhi, Deng Ze-Chao, Guo Jian-Xin, Wu Zhuan-Hua, Wang Ying-Long. 2010: First-principles study of electronic and optical properties of Ni-doped silicon nanowires, Acta Physica Sinica, 59(11): 8071-8077.
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镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究

  • 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

First-principles study of electronic and optical properties of Ni-doped silicon nanowires

  • 摘要: 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对镍掺杂硅纳米线的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Ni容易占据硅纳米线表面的替代位置.镍掺杂后的硅纳米线引入了杂质能级,杂质能级主要来源于Ni的3d电子的贡献.由于Ni的3d态和si的3p态的耦合作用,使禁带宽度变窄.掺杂后的硅纳米线在低能区出现了一个较强的吸收峰,且吸收带出现宽化现象.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-11-30

镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究

  • 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

摘要: 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对镍掺杂硅纳米线的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Ni容易占据硅纳米线表面的替代位置.镍掺杂后的硅纳米线引入了杂质能级,杂质能级主要来源于Ni的3d电子的贡献.由于Ni的3d态和si的3p态的耦合作用,使禁带宽度变窄.掺杂后的硅纳米线在低能区出现了一个较强的吸收峰,且吸收带出现宽化现象.

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