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p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究

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毛清华, 江风益, 程海英, 郑畅达. 2010: p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究, 物理学报, 59(11): 8078-8082.
引用本文: 毛清华, 江风益, 程海英, 郑畅达. 2010: p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究, 物理学报, 59(11): 8078-8082.
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Mao Qing-Hua, Jiang Feng-Yi, Cheng Hai-Ying, Zheng Chang-Da. 2010: p-AlGaN electron blocking layer with different Al fractions on green InGaN/GaN LEDs grown on Si substrates, Acta Physica Sinica, 59(11): 8078-8082.
Citation: Mao Qing-Hua, Jiang Feng-Yi, Cheng Hai-Ying, Zheng Chang-Da. 2010: p-AlGaN electron blocking layer with different Al fractions on green InGaN/GaN LEDs grown on Si substrates, Acta Physica Sinica, 59(11): 8078-8082.
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p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究

  • 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047

p-AlGaN electron blocking layer with different Al fractions on green InGaN/GaN LEDs grown on Si substrates

  • 摘要: 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即 droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-11-30

p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究

  • 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047

摘要: 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即 droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.

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