高级搜索

In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

周龙, 李涵, 苏贤礼, 唐新峰. 2010: In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律, 物理学报, 59(10): 7219-7224.
引用本文: 周龙, 李涵, 苏贤礼, 唐新峰. 2010: In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律, 物理学报, 59(10): 7219-7224.
shu
Zhou Long, Li Han, Su Xian-Li, Tang Xin-Feng. 2010: Effects of In doping on crystal structure and thermoelectric properties of n-type skutterudites, Acta Physica Sinica, 59(10): 7219-7224.
Citation: Zhou Long, Li Han, Su Xian-Li, Tang Xin-Feng. 2010: Effects of In doping on crystal structure and thermoelectric properties of n-type skutterudites, Acta Physica Sinica, 59(10): 7219-7224.
shu

In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

  • 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070

Effects of In doping on crystal structure and thermoelectric properties of n-type skutterudites

  • 摘要: 用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同In含量的In,Co4Sb12(x=0.1-0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米Insb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800 K时,In0.35Co4Sb12样品的最大热电优值(ZT值)达到了1.21.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  388
  • HTML全文浏览数:  103
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

  • 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070

摘要: 用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同In含量的In,Co4Sb12(x=0.1-0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米Insb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800 K时,In0.35Co4Sb12样品的最大热电优值(ZT值)达到了1.21.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回