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样品温度对CF3+与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟

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宁建平, 吕晓丹, 赵成利, 秦尤敏, 贺平逆, A.Bogaerts, 苟富君. 2010: 样品温度对CF3+与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟, 物理学报, 59(10): 7225-7231.
引用本文: 宁建平, 吕晓丹, 赵成利, 秦尤敏, 贺平逆, A.Bogaerts, 苟富君. 2010: 样品温度对CF3+与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟, 物理学报, 59(10): 7225-7231.
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Ning Jian-Ping, Lü Xiao-Dan, Zhao Cheng-Li, Qin You-Min, He Ping-Ni, A.Bogaerts, Gou Fu-Jun. 2010: Molecular dynamics simulation of temperature effects on CF+3 etching of Si surface, Acta Physica Sinica, 59(10): 7225-7231.
Citation: Ning Jian-Ping, Lü Xiao-Dan, Zhao Cheng-Li, Qin You-Min, He Ping-Ni, A.Bogaerts, Gou Fu-Jun. 2010: Molecular dynamics simulation of temperature effects on CF+3 etching of Si surface, Acta Physica Sinica, 59(10): 7225-7231.
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样品温度对CF3+与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟

  • 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025;贵州大学材料科学与冶金工程学院,贵阳,550003

  • 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025

  • 比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组,比利时,B-2610

  • 四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300

Molecular dynamics simulation of temperature effects on CF+3 etching of Si surface

  • 摘要: 利用分子动力学模拟方法研究了不同温度下CFx层对CF+3刻蚀Si表面过程的影响.由模拟数据可知,温度对C和F的沉积有显著的影响;通过提高样品的温度,物理刻蚀得到了加强,而化学刻蚀被减弱.同时,随着温度的升高,Si的刻蚀率相应增加.刻蚀产物中的SiF,SiF2的量随温度的增加而增加,SiF3的量与基体温度没有直接的关系.Si刻蚀率的增加主要是通过提高SiF,SiF2从表面脱离的量得以实现的.通过比较发现CF+3在Si表面的沉积对后续的刻蚀过程产生了巨大的影响,具体表现为大大增加了Si的刻蚀率,减弱了Si的化学刻蚀机理.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

样品温度对CF3+与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟

  • 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025;贵州大学材料科学与冶金工程学院,贵阳,550003
  • 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025
  • 比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组,比利时,B-2610
  • 四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300

摘要: 利用分子动力学模拟方法研究了不同温度下CFx层对CF+3刻蚀Si表面过程的影响.由模拟数据可知,温度对C和F的沉积有显著的影响;通过提高样品的温度,物理刻蚀得到了加强,而化学刻蚀被减弱.同时,随着温度的升高,Si的刻蚀率相应增加.刻蚀产物中的SiF,SiF2的量随温度的增加而增加,SiF3的量与基体温度没有直接的关系.Si刻蚀率的增加主要是通过提高SiF,SiF2从表面脱离的量得以实现的.通过比较发现CF+3在Si表面的沉积对后续的刻蚀过程产生了巨大的影响,具体表现为大大增加了Si的刻蚀率,减弱了Si的化学刻蚀机理.

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