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Ga和Sb纳米线声子结构和电子-声子相互作用的第一性原理研究

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孙伟峰, 李美成, 赵连城. 2010: Ga和Sb纳米线声子结构和电子-声子相互作用的第一性原理研究, 物理学报, 59(10): 7291-7297.
引用本文: 孙伟峰, 李美成, 赵连城. 2010: Ga和Sb纳米线声子结构和电子-声子相互作用的第一性原理研究, 物理学报, 59(10): 7291-7297.
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Sun Wei-Feng, Li Mei-Cheng, Zhao Lian-Cheng. 2010: Phonon band structure and electron-phonon interactions in Ga and Sb nanowires: a first-principles study, Acta Physica Sinica, 59(10): 7291-7297.
Citation: Sun Wei-Feng, Li Mei-Cheng, Zhao Lian-Cheng. 2010: Phonon band structure and electron-phonon interactions in Ga and Sb nanowires: a first-principles study, Acta Physica Sinica, 59(10): 7291-7297.
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Ga和Sb纳米线声子结构和电子-声子相互作用的第一性原理研究

  • 哈尔滨工业大学信息材料科学与技术系,哈尔滨,150001

Phonon band structure and electron-phonon interactions in Ga and Sb nanowires: a first-principles study

  • 摘要: 基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了Ga和sb纳米线的电子能带结构和声子结构以及电子-声子耦合(EPC)作用.通过对声子的完整Brillouin区分析来研究纳米线的结构稳定性.结果表明,所考察的纳米线显示出不稳定性,不稳定声子波矢远离Brillouin区中心.与通常的Peierls变形机理相比,不稳定的横向声子模会导致一种无开口带隙的相变.Sb比Ga纳米线的EPC要强很多,并且横向变形导致的锯齿形结构使纳米线中的电子-声子相互作用增加了几个数量级.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

Ga和Sb纳米线声子结构和电子-声子相互作用的第一性原理研究

  • 哈尔滨工业大学信息材料科学与技术系,哈尔滨,150001

摘要: 基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了Ga和sb纳米线的电子能带结构和声子结构以及电子-声子耦合(EPC)作用.通过对声子的完整Brillouin区分析来研究纳米线的结构稳定性.结果表明,所考察的纳米线显示出不稳定性,不稳定声子波矢远离Brillouin区中心.与通常的Peierls变形机理相比,不稳定的横向声子模会导致一种无开口带隙的相变.Sb比Ga纳米线的EPC要强很多,并且横向变形导致的锯齿形结构使纳米线中的电子-声子相互作用增加了几个数量级.

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