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N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

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于峰, 王培吉, 张昌文. 2010: N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究, 物理学报, 59(10): 7285-7290.
引用本文: 于峰, 王培吉, 张昌文. 2010: N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究, 物理学报, 59(10): 7285-7290.
shu
Yu Feng Wang, Pei-Ji, Zhang Chang-Wen. 2010: First-principles study of optical and electronic properties of N-doped SnO2, Acta Physica Sinica, 59(10): 7285-7290.
Citation: Yu Feng Wang, Pei-Ji, Zhang Chang-Wen. 2010: First-principles study of optical and electronic properties of N-doped SnO2, Acta Physica Sinica, 59(10): 7285-7290.
shu

N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

  • 济南大学理学院,济南,250022

First-principles study of optical and electronic properties of N-doped SnO2

  • 摘要: 采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO2的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出了光学性质与电子结构之间的内在关系.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

  • 济南大学理学院,济南,250022

摘要: 采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO2的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出了光学性质与电子结构之间的内在关系.

English Abstract

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