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使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

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丁国建, 郭丽伟, 邢志刚, 陈耀, 徐培强, 贾海强, 周均铭, 陈弘. 2010: 使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构, 物理学报, 59(8): 5724-5729.
引用本文: 丁国建, 郭丽伟, 邢志刚, 陈耀, 徐培强, 贾海强, 周均铭, 陈弘. 2010: 使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构, 物理学报, 59(8): 5724-5729.
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Ding Guo-Jian, Guo Li-Wei, Xing Zhi-Gang, Chen Yao, Xu Pei-Qiang, Jia Hai-Qiang, Zhou Jun-Ming, Chen Hong. 2010: Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers, Acta Physica Sinica, 59(8): 5724-5729.
Citation: Ding Guo-Jian, Guo Li-Wei, Xing Zhi-Gang, Chen Yao, Xu Pei-Qiang, Jia Hai-Qiang, Zhou Jun-Ming, Chen Hong. 2010: Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers, Acta Physica Sinica, 59(8): 5724-5729.
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使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

  • 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所清洁能源实验室,北京,100190

Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers

  • 摘要: 在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/口的薄层电阻.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-08-30

使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

  • 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所清洁能源实验室,北京,100190

摘要: 在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/口的薄层电阻.

English Abstract

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