高级搜索

基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

杨洪东, 于奇, 王向展, 李竞春, 宁宁, 杨谟华. 2010: 基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理, 物理学报, 59(8): 5743-5748.
引用本文: 杨洪东, 于奇, 王向展, 李竞春, 宁宁, 杨谟华. 2010: 基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理, 物理学报, 59(8): 5743-5748.
shu
Yang Hong-Dong, Yu Qi, Wang Xiang-Zhan, Li Jing-Chun, Ning Ning, Yang Mo-Hua. 2010: Strain relaxation mechanism of pseudomorphic SiGe using low-temperature technology, Acta Physica Sinica, 59(8): 5743-5748.
Citation: Yang Hong-Dong, Yu Qi, Wang Xiang-Zhan, Li Jing-Chun, Ning Ning, Yang Mo-Hua. 2010: Strain relaxation mechanism of pseudomorphic SiGe using low-temperature technology, Acta Physica Sinica, 59(8): 5743-5748.
shu

基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理

  • 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

Strain relaxation mechanism of pseudomorphic SiGe using low-temperature technology

  • 摘要: 基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫机理.该机理指出,赝晶SiGe薄膜厚度小于位错形成临界厚度,可通过LT-Si缓冲层中形成位错释放应变;等于与大于临界厚度,位错在LT-Si层中优先形成,和文献报道中已观察到的实验结果相符合.同时,实验制备了基于LT-Si技术的弛豫Si0.8Ge0.2虚拟衬底材料.结果显示,位错被限制在LT-Si缓冲层中,弛豫度达到了85.09%,且在Si0.8Ge0.2中未观察到穿透位错,实验结果证实了赝晶Si0.8Ge0.2是通过在LT-Si缓冲层形成位错来释放应变的弛豫机理.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  406
  • HTML全文浏览数:  91
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2010-08-30

基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理

  • 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

摘要: 基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫机理.该机理指出,赝晶SiGe薄膜厚度小于位错形成临界厚度,可通过LT-Si缓冲层中形成位错释放应变;等于与大于临界厚度,位错在LT-Si层中优先形成,和文献报道中已观察到的实验结果相符合.同时,实验制备了基于LT-Si技术的弛豫Si0.8Ge0.2虚拟衬底材料.结果显示,位错被限制在LT-Si缓冲层中,弛豫度达到了85.09%,且在Si0.8Ge0.2中未观察到穿透位错,实验结果证实了赝晶Si0.8Ge0.2是通过在LT-Si缓冲层形成位错来释放应变的弛豫机理.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回