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射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质

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谢婧, 黎兵, 李愿杰, 颜璞, 冯良桓, 蔡亚平, 郑家贵, 张静全, 李卫, 武莉莉, 雷智, 曾广根. 2010: 射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质, 物理学报, 59(8): 5749-5754.
引用本文: 谢婧, 黎兵, 李愿杰, 颜璞, 冯良桓, 蔡亚平, 郑家贵, 张静全, 李卫, 武莉莉, 雷智, 曾广根. 2010: 射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质, 物理学报, 59(8): 5749-5754.
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Xie Jing, Li Bing, Li Yuan-jie, Yan Pu Feng, Liang-Huan, Cai Ya-Ping, Zheng Jia-Gui, Zhang Jing-Quan, Li Wei, Wu Li-Li, Lei Zhi, Zeng Guang-Gen. 2010: Study of ZnS thin films prepared by RF magnetron sputtering technique, Acta Physica Sinica, 59(8): 5749-5754.
Citation: Xie Jing, Li Bing, Li Yuan-jie, Yan Pu Feng, Liang-Huan, Cai Ya-Ping, Zheng Jia-Gui, Zhang Jing-Quan, Li Wei, Wu Li-Li, Lei Zhi, Zeng Guang-Gen. 2010: Study of ZnS thin films prepared by RF magnetron sputtering technique, Acta Physica Sinica, 59(8): 5749-5754.
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射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质

  • 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

Study of ZnS thin films prepared by RF magnetron sputtering technique

  • 摘要: 实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach能量和禁带宽度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌.结果表明:衬底温度为室温时沉积的ZnS薄膜具有较大的压应力,并且内应力值随着工作气压增大而增大,在300℃下进行退火处理后内应力松弛,衬底温度为350℃时制备的ZnS薄膜内应力小,透过率高,经300℃退火处理后结晶质量有所提高.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-08-30

射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质

  • 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

摘要: 实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach能量和禁带宽度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌.结果表明:衬底温度为室温时沉积的ZnS薄膜具有较大的压应力,并且内应力值随着工作气压增大而增大,在300℃下进行退火处理后内应力松弛,衬底温度为350℃时制备的ZnS薄膜内应力小,透过率高,经300℃退火处理后结晶质量有所提高.

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