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氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究

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张勇, 张崇宏, 周丽宏, 李炳生, 杨义涛. 2010: 氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究, 物理学报, 59(6): 4130-4135.
引用本文: 张勇, 张崇宏, 周丽宏, 李炳生, 杨义涛. 2010: 氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究, 物理学报, 59(6): 4130-4135.
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Zhang Yong, Zhang Chong-Hong, Zhou Li-Hong, Li Bing-Sheng, Yang Yi-Tao. 2010: Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC, Acta Physica Sinica, 59(6): 4130-4135.
Citation: Zhang Yong, Zhang Chong-Hong, Zhou Li-Hong, Li Bing-Sheng, Yang Yi-Tao. 2010: Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC, Acta Physica Sinica, 59(6): 4130-4135.
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氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究

  • 中国科学院近代物理研究所,兰州730000;中国科学院研究生院,北京100049

  • 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000

Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC

  • 摘要: 4H-SiC晶体经能量为100 keV,剂量为3×1016cm-2的氦离子高温(500 K)注入后,再在773-1273 K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500-1273 K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773 K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si-C键密度、键长和键角改变引起的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-30

氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究

  • 中国科学院近代物理研究所,兰州730000;中国科学院研究生院,北京100049
  • 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000

摘要: 4H-SiC晶体经能量为100 keV,剂量为3×1016cm-2的氦离子高温(500 K)注入后,再在773-1273 K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500-1273 K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773 K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si-C键密度、键长和键角改变引起的.

English Abstract

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