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SrO/Si(100)表面去氧过程的研究

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杜文汉. 2010: SrO/Si(100)表面去氧过程的研究, 物理学报, 59(5): 3357-3361.
引用本文: 杜文汉. 2010: SrO/Si(100)表面去氧过程的研究, 物理学报, 59(5): 3357-3361.
shu
Du Wen-Han. 2010: Investigation on the deoxidation process of SrO/Si(100)surface, Acta Physica Sinica, 59(5): 3357-3361.
Citation: Du Wen-Han. 2010: Investigation on the deoxidation process of SrO/Si(100)surface, Acta Physica Sinica, 59(5): 3357-3361.
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SrO/Si(100)表面去氧过程的研究

  • 中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室,合肥,230026

    • 通讯作者: 杜文汉

Investigation on the deoxidation process of SrO/Si(100)surface

    Corresponding author: Du Wen-Han

  • 摘要: 借助高温扫描隧道显微镜和光电子能谱技术,深入研究了SrO/Si(100)表面向Sr/Si(100)再构表面的动态转化过程.Sr/Si(100)再构表面在硅基氧化物外延生长中起重要作用.在该动态转化过程中,样品在500℃的退火温度下,表面出现SrO晶化的现象;在550-590 ℃的退火温度下,SrO/Si(100)开始向Sr/Si(100)转化,界面和表面上的氧以气态的SiO溢出,使得表面出现大量凹槽状缺陷.并且在此动态转化过程中表面的电子态表现出金属特性,这是由于表层硅原子发生断键重排,从而在表面出现悬挂键产生的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-05-30

SrO/Si(100)表面去氧过程的研究

    通讯作者: 杜文汉
  • 中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室,合肥,230026

摘要: 借助高温扫描隧道显微镜和光电子能谱技术,深入研究了SrO/Si(100)表面向Sr/Si(100)再构表面的动态转化过程.Sr/Si(100)再构表面在硅基氧化物外延生长中起重要作用.在该动态转化过程中,样品在500℃的退火温度下,表面出现SrO晶化的现象;在550-590 ℃的退火温度下,SrO/Si(100)开始向Sr/Si(100)转化,界面和表面上的氧以气态的SiO溢出,使得表面出现大量凹槽状缺陷.并且在此动态转化过程中表面的电子态表现出金属特性,这是由于表层硅原子发生断键重排,从而在表面出现悬挂键产生的.

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