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具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

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杨银堂, 耿振海, 段宝兴, 贾护军, 余涔, 任丽丽. 2010: 具有部分超结的新型SiC SBD特性分析, 物理学报, 59(1): 566-570.
引用本文: 杨银堂, 耿振海, 段宝兴, 贾护军, 余涔, 任丽丽. 2010: 具有部分超结的新型SiC SBD特性分析, 物理学报, 59(1): 566-570.
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Yang Yin-Tang, Geng Zhen-Hai, Duan Bao-Xing, Jia Hu-Jun, Yu Cen, Ren Li-Li. 2010: Characteristics of a SiC SBD with semi-superjunction structure, Acta Physica Sinica, 59(1): 566-570.
Citation: Yang Yin-Tang, Geng Zhen-Hai, Duan Bao-Xing, Jia Hu-Jun, Yu Cen, Ren Li-Li. 2010: Characteristics of a SiC SBD with semi-superjunction structure, Acta Physica Sinica, 59(1): 566-570.
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具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071

Characteristics of a SiC SBD with semi-superjunction structure

  • 摘要: 提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(V_B)和比导通电阻(R_(on-sp)).与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2W为2μm,3μm,超结深度大于5μn,可以使R_(on-sp)降低量大于10%,而且保持V_B基本不变(降低量小于4%).
    Abstract: A novel SiC semi-superjunction-Schottky Barrier Diode (Semi-SJ-SBD) structure is proposed, which is the combination of super-junction (SJ) structure and conventional drift region structure. The proposed structure can significantly reduce the specific on-resistance (R_(on-sp)) and improve the forward characteristics. The breakdown voltage (V_B) and specific on-resistance (R_(on-sp)) in different SJ depth and width are studied using two-dimensional simulator Medici and compared with conventional SiC SBD. The results show that R_(on-sp) is greatly reduced (greater than 10%) with V_B unchanged (less than 4%) when the SJ width is chosen as 2-3 μn and SJ depth is deeper than 5 μm.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-01-30

具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071

摘要: 提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(V_B)和比导通电阻(R_(on-sp)).与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2W为2μm,3μm,超结深度大于5μn,可以使R_(on-sp)降低量大于10%,而且保持V_B基本不变(降低量小于4%).

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