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GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究

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李炳乾, 郑同场, 夏正浩. 2009: GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究, 物理学报, 58(10): 7189-7193. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.086
引用本文: 李炳乾, 郑同场, 夏正浩. 2009: GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究, 物理学报, 58(10): 7189-7193. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.086
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Li Bing-Qian, Zheng Tong-Chang, Xia Zheng-Hao. 2009: Temperature characteristics of the forward voltage of GaN based blue light emitting diodes, Acta Physica Sinica, 58(10): 7189-7193. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.086
Citation: Li Bing-Qian, Zheng Tong-Chang, Xia Zheng-Hao. 2009: Temperature characteristics of the forward voltage of GaN based blue light emitting diodes, Acta Physica Sinica, 58(10): 7189-7193. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.086
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GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究

  • 佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山,528000

Temperature characteristics of the forward voltage of GaN based blue light emitting diodes

  • 摘要: 对GaN基蓝光发光二极管(LED)正向电压温度特性进行了研究,发现在温度较高时,正向电压随温度的变化系数逐渐减小,直至出现拐点,正向电压随温度的变化系数由负数变为正数.此时若继续升高温度,则正向电压随温度升高迅速增加,并常常伴随有器件失效的现象发生.在小电流情况下,这种现象不很明显,随着电流的增加,现象表现得越来越明显,拐点出现的温度也越来越低,而且温度超过拐点之后,正向电压值增加得更快.通过与相同封装的另一组器件测试结果对比,排除了封装材料玻璃转换温度的影响.分析认为,这一现象的出现是由器件等效串联电阻迅速增加所致,而且主要是由器件p型层材料的迅速劣化引起的.研究结果表明通过测量不同电流下正向电压随温度的变化系数能够快速判断GaN基蓝光LED p型层的质量好坏,为研究者和生产者提供了一种快速、简便的测试方法.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究

  • 佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山,528000

摘要: 对GaN基蓝光发光二极管(LED)正向电压温度特性进行了研究,发现在温度较高时,正向电压随温度的变化系数逐渐减小,直至出现拐点,正向电压随温度的变化系数由负数变为正数.此时若继续升高温度,则正向电压随温度升高迅速增加,并常常伴随有器件失效的现象发生.在小电流情况下,这种现象不很明显,随着电流的增加,现象表现得越来越明显,拐点出现的温度也越来越低,而且温度超过拐点之后,正向电压值增加得更快.通过与相同封装的另一组器件测试结果对比,排除了封装材料玻璃转换温度的影响.分析认为,这一现象的出现是由器件等效串联电阻迅速增加所致,而且主要是由器件p型层材料的迅速劣化引起的.研究结果表明通过测量不同电流下正向电压随温度的变化系数能够快速判断GaN基蓝光LED p型层的质量好坏,为研究者和生产者提供了一种快速、简便的测试方法.

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