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高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究

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张丽卿, 张崇宏, 杨义涛, 姚存峰, 孙友梅, 李炳生, 赵志明, 宋书建. 2009: 高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究, 物理学报, 58(8): 5578-5584. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.069
引用本文: 张丽卿, 张崇宏, 杨义涛, 姚存峰, 孙友梅, 李炳生, 赵志明, 宋书建. 2009: 高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究, 物理学报, 58(8): 5578-5584. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.069
shu
Zhang Li-Qing, Zhang Chong-Hong, Yang Yi-Tao, Yao Cun-Feng, Sun You-Mei, Li Bing-Sheng, Zhao Zhi-Ming, Song Shu-Jian. 2009: Surface morphology of GaN bombardedby highly charged 126Xeq+ions, Acta Physica Sinica, 58(8): 5578-5584. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.069
Citation: Zhang Li-Qing, Zhang Chong-Hong, Yang Yi-Tao, Yao Cun-Feng, Sun You-Mei, Li Bing-Sheng, Zhao Zhi-Ming, Song Shu-Jian. 2009: Surface morphology of GaN bombardedby highly charged 126Xeq+ions, Acta Physica Sinica, 58(8): 5578-5584. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.069
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高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究

  • 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000

Surface morphology of GaN bombardedby highly charged 126Xeq+ions

  • 摘要: 用不同电荷态的126Xeq+离子(9≤q≤30)在室温下轰击GaN晶体表面,经原子力显微镜分析表明,当q>18,辐照区域由隆起转为显著的刻蚀.被轰击后的GaN晶体表面形貌主要取决于入射离子的电荷态.同时,样品表面形貌还与入射离子的剂量和入射角有关;在实验参数范围,与入射离子的初动能没有明显关系(180 keV≤Ek≤600 keV).当入射离子的电荷态q=18,与样品表面法线成60°角倾斜入射和垂直表面入射时,样品的表面几乎没有变化,只是倾斜入射后有很微小的隆起;当q＜18时,样品表面膨胀隆起,粗糙度增强,倾斜入射时表面隆起比垂直入射时更明显,而且都有清晰的峰状分界区;当q＞18时,样品表面被蚀刻呈凹陷状,有明显的齿状刻痕,且侵蚀深度与离子剂量近似呈线性关系,倾斜入射时的刻蚀深度大于垂直入射时的刻蚀深度.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-08-30

高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究

  • 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000

摘要: 用不同电荷态的126Xeq+离子(9≤q≤30)在室温下轰击GaN晶体表面,经原子力显微镜分析表明,当q>18,辐照区域由隆起转为显著的刻蚀.被轰击后的GaN晶体表面形貌主要取决于入射离子的电荷态.同时,样品表面形貌还与入射离子的剂量和入射角有关;在实验参数范围,与入射离子的初动能没有明显关系(180 keV≤Ek≤600 keV).当入射离子的电荷态q=18,与样品表面法线成60°角倾斜入射和垂直表面入射时,样品的表面几乎没有变化,只是倾斜入射后有很微小的隆起;当q＜18时,样品表面膨胀隆起,粗糙度增强,倾斜入射时表面隆起比垂直入射时更明显,而且都有清晰的峰状分界区;当q＞18时,样品表面被蚀刻呈凹陷状,有明显的齿状刻痕,且侵蚀深度与离子剂量近似呈线性关系,倾斜入射时的刻蚀深度大于垂直入射时的刻蚀深度.

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