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Co掺杂的ZnO稀磁半导体块体的退火热处理研究

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彭先德, 朱涛, 王芳卫. 2009: Co掺杂的ZnO稀磁半导体块体的退火热处理研究, 物理学报, 58(5): 3274-3279. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.063
引用本文: 彭先德, 朱涛, 王芳卫. 2009: Co掺杂的ZnO稀磁半导体块体的退火热处理研究, 物理学报, 58(5): 3274-3279. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.063
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Peng Xian-De, Zhu Tao, Wang Fang-Wei. 2009: High temperature annealing treatment on Co doped ZnO bulks, Acta Physica Sinica, 58(5): 3274-3279. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.063
Citation: Peng Xian-De, Zhu Tao, Wang Fang-Wei. 2009: High temperature annealing treatment on Co doped ZnO bulks, Acta Physica Sinica, 58(5): 3274-3279. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.063
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Co掺杂的ZnO稀磁半导体块体的退火热处理研究

  • 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100190

High temperature annealing treatment on Co doped ZnO bulks

  • 摘要: 采用固相反应法制备了Zn0.95Co0.05O块体样品,并对其进行了不同方式的退火处理.实验表明在锌气氛中500℃退火的样品表现出铁磁性,而在真空中退火的样品却没有磁性,进一步,在锌气氛中1100℃退火的样品虽然表现出铁磁性,但其铁磁性来源于样品在锌气氛中1100℃退火过程中产生了1%左右的Co金属团簇杂质相.另外,在低温时所有样品都表现出较大的正磁电阻,认为正磁电阻效应是由于s-d电子交换相互作用引起的自旋劈裂造成的,而高场时出现的负磁电阻效应则可能归因于磁场导致的束缚磁极化子的破损和自旋散射的抑制.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-05-30

Co掺杂的ZnO稀磁半导体块体的退火热处理研究

  • 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100190

摘要: 采用固相反应法制备了Zn0.95Co0.05O块体样品,并对其进行了不同方式的退火处理.实验表明在锌气氛中500℃退火的样品表现出铁磁性,而在真空中退火的样品却没有磁性,进一步,在锌气氛中1100℃退火的样品虽然表现出铁磁性,但其铁磁性来源于样品在锌气氛中1100℃退火过程中产生了1%左右的Co金属团簇杂质相.另外,在低温时所有样品都表现出较大的正磁电阻,认为正磁电阻效应是由于s-d电子交换相互作用引起的自旋劈裂造成的,而高场时出现的负磁电阻效应则可能归因于磁场导致的束缚磁极化子的破损和自旋散射的抑制.

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