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有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响

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吴慧婷, 王海龙, 姜黎明. 2009: 有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响, 物理学报, 58(1): 465-470. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.072
引用本文: 吴慧婷, 王海龙, 姜黎明. 2009: 有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响, 物理学报, 58(1): 465-470. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.072
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Wu Hui-Ting, Wang Hai-Long, Jiang Li-Ming. 2009: Effect of different effective mass and electric field on the electronic structure in GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot, Acta Physica Sinica, 58(1): 465-470. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.072
Citation: Wu Hui-Ting, Wang Hai-Long, Jiang Li-Ming. 2009: Effect of different effective mass and electric field on the electronic structure in GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot, Acta Physica Sinica, 58(1): 465-470. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.072
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有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响

  • 曲阜师范大学物理工程学院,曲阜,273165

Effect of different effective mass and electric field on the electronic structure in GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot

  • 摘要: 用平面波展开法对GaN/AlxGa1-xN球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨论.计算了量子点内外有效质量差异对杂质态能级和结合能的修正,结果表明对于Al组分较高的GaN/AlxGa1-xN球形量子点,电子有效质量差异对杂质能级和结合能的修正不能忽略.考虑电子有效质量差异后,进一步具体计算了杂质结合能随量子点半径、杂质位置以及外电场的变化规律.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响

  • 曲阜师范大学物理工程学院,曲阜,273165

摘要: 用平面波展开法对GaN/AlxGa1-xN球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨论.计算了量子点内外有效质量差异对杂质态能级和结合能的修正,结果表明对于Al组分较高的GaN/AlxGa1-xN球形量子点,电子有效质量差异对杂质能级和结合能的修正不能忽略.考虑电子有效质量差异后,进一步具体计算了杂质结合能随量子点半径、杂质位置以及外电场的变化规律.

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