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半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究

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施卫, 屈光辉, 王馨梅. 2009: 半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究, 物理学报, 58(1): 477-481. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.074
引用本文: 施卫, 屈光辉, 王馨梅. 2009: 半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究, 物理学报, 58(1): 477-481. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.074
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Shi Wei, Qu Guang-Hui, Wang Xin-Mei. 2009: Ultrafast rising of output electric impulse of lock-on model of semi-insulated GaAs photoconductive switches, Acta Physica Sinica, 58(1): 477-481. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.074
Citation: Shi Wei, Qu Guang-Hui, Wang Xin-Mei. 2009: Ultrafast rising of output electric impulse of lock-on model of semi-insulated GaAs photoconductive switches, Acta Physica Sinica, 58(1): 477-481. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.074
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半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究

  • 西安理工大学物理系,西安,710058

Ultrafast rising of output electric impulse of lock-on model of semi-insulated GaAs photoconductive switches

  • 摘要: 利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究

  • 西安理工大学物理系,西安,710058

摘要: 利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性.

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