半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管

马丽; 高勇

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.083

物理学报

半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管

马丽, 高勇. 2009: 半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管, 物理学报, 58(1): 529-535. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.083

引用本文:

马丽, 高勇. 2009: 半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管, 物理学报, 58(1): 529-535. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.083

Ma Li, Gao Yong. 2009: Semi-super junction SiGe high Voltage fast and soft recovery switching diodes, Acta Physica Sinica, 58(1): 529-535. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.083

Citation:

Ma Li, Gao Yong. 2009: Semi-super junction SiGe high Voltage fast and soft recovery switching diodes, Acta Physica Sinica, 58(1): 529-535. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.083

半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管

马丽,
高勇

西安理工大学应用物理系,西安,710048
西安理工大学电子工程系,西安,710048

Semi-super junction SiGe high Voltage fast and soft recovery switching diodes

Ma Li,
Gao Yong

摘要: 将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiCe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.
- 半超结 /
- 硅锗二极管 /
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