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Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究

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吴文清, 史同飞, 张国斌, 符义兵, 潘志云, 孙治湖, 闫文盛, 徐彭寿, 韦世强. 2008: Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究, 物理学报, 57(7): 4328-4333.
引用本文: 吴文清, 史同飞, 张国斌, 符义兵, 潘志云, 孙治湖, 闫文盛, 徐彭寿, 韦世强. 2008: Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究, 物理学报, 57(7): 4328-4333.
shu
2008: Structure and magnetic properties of Zn1-xCoxO thin film, Acta Physica Sinica, 57(7): 4328-4333.
Citation: 2008: Structure and magnetic properties of Zn1-xCoxO thin film, Acta Physica Sinica, 57(7): 4328-4333.
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Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

Structure and magnetic properties of Zn1-xCoxO thin film

  • 摘要: 利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

摘要: 利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.

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