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MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究

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任鹏, 刘忠良, 叶剑, 姜泳, 刘金锋, 孙玉, 徐彭寿, 孙治湖, 潘志云, 闰文盛, 韦世强. 2008: MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究, 物理学报, 57(7): 4322-4327.
引用本文: 任鹏, 刘忠良, 叶剑, 姜泳, 刘金锋, 孙玉, 徐彭寿, 孙治湖, 潘志云, 闰文盛, 韦世强. 2008: MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究, 物理学报, 57(7): 4322-4327.
shu
2008: Structural study of MnxSi1-x magnetic semiconductor thin films, Acta Physica Sinica, 57(7): 4322-4327.
Citation: 2008: Structural study of MnxSi1-x magnetic semiconductor thin films, Acta Physica Sinica, 57(7): 4322-4327.
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MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

Structural study of MnxSi1-x magnetic semiconductor thin films

  • 摘要: 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

摘要: 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.

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