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ZnO/Si异质结的光电转换特性研究

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张伟英, 邬小鹏, 孙利杰, 林碧霞, 傅竹西. 2008: ZnO/Si异质结的光电转换特性研究, 物理学报, 57(7): 4471-4475.
引用本文: 张伟英, 邬小鹏, 孙利杰, 林碧霞, 傅竹西. 2008: ZnO/Si异质结的光电转换特性研究, 物理学报, 57(7): 4471-4475.
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2008: Study on the photovoltaic conversion of ZnO/Si heterojunction, Acta Physica Sinica, 57(7): 4471-4475.
Citation: 2008: Study on the photovoltaic conversion of ZnO/Si heterojunction, Acta Physica Sinica, 57(7): 4471-4475.
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ZnO/Si异质结的光电转换特性研究

  • 中国科学技术大学物理系,合肥,230026

Study on the photovoltaic conversion of ZnO/Si heterojunction

  • 摘要: 利用直流反应溅射方法在p型si衬底上生长掺Al的n型ZnO薄膜,测量了由n型ZnO薄膜和p型Si衬底组成的异质结在黑暗和光照条件下的I-V特性,结果表明该异质结具有优良的整流特性,而且在光照条件下的反向电流迅速增大并很快趋于饱和.通过测量ZnO薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应,初步分析了异质结的光电转换机理.测量结果显示,在入射光波长为380 nm时光电流强度明显下降,反映出光电流与ZnO薄膜禁带宽度的密切关系;同时还发现,在与ZnO禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反.推测这一现象与异质结的能带结构密切相关.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

ZnO/Si异质结的光电转换特性研究

  • 中国科学技术大学物理系,合肥,230026

摘要: 利用直流反应溅射方法在p型si衬底上生长掺Al的n型ZnO薄膜,测量了由n型ZnO薄膜和p型Si衬底组成的异质结在黑暗和光照条件下的I-V特性,结果表明该异质结具有优良的整流特性,而且在光照条件下的反向电流迅速增大并很快趋于饱和.通过测量ZnO薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应,初步分析了异质结的光电转换机理.测量结果显示,在入射光波长为380 nm时光电流强度明显下降,反映出光电流与ZnO薄膜禁带宽度的密切关系;同时还发现,在与ZnO禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反.推测这一现象与异质结的能带结构密切相关.

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