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工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响

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李睿, 王庆东. 2008: 工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响, 物理学报, 57(7): 4497-4507.
引用本文: 李睿, 王庆东. 2008: 工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响, 物理学报, 57(7): 4497-4507.
shu
2008: Process-induced mechanical stress effects on deep subm icron CMOS device, Acta Physica Sinica, 57(7): 4497-4507.
Citation: 2008: Process-induced mechanical stress effects on deep subm icron CMOS device, Acta Physica Sinica, 57(7): 4497-4507.
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工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响

  • 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049;上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203

  • 上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203

Process-induced mechanical stress effects on deep subm icron CMOS device

  • 摘要: 随着CMOS器件的不断微缩,硅有源区面积的缩小,工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著,许多工艺步骤会造成有源区应力的累积.应力不仪导致器件性能对版图产生依赖性,而且带来各种可靠性问题,影响芯片的长期使用寿命.在很多情况下,应力相关的问题直接影响芯片制造的良率.在总结各种应力来源的基础上,回顾了到日前为止人们所观察或理解的应力对CMOS器件性能和可靠性的各种影响,提出了分析和解决工业生产中应力相关问题的基本思路.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响

  • 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049;上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203
  • 上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203

摘要: 随着CMOS器件的不断微缩,硅有源区面积的缩小,工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著,许多工艺步骤会造成有源区应力的累积.应力不仪导致器件性能对版图产生依赖性,而且带来各种可靠性问题,影响芯片的长期使用寿命.在很多情况下,应力相关的问题直接影响芯片制造的良率.在总结各种应力来源的基础上,回顾了到日前为止人们所观察或理解的应力对CMOS器件性能和可靠性的各种影响,提出了分析和解决工业生产中应力相关问题的基本思路.

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