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高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响

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王俊, 王磊, 董业民, 邹欣, 邵丽, 李文军, 杨华岳. 2008: 高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响, 物理学报, 57(7): 4492-4496.
引用本文: 王俊, 王磊, 董业民, 邹欣, 邵丽, 李文军, 杨华岳. 2008: 高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响, 物理学报, 57(7): 4492-4496.
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2008: Mechanism and impact of the double-hump substrate current in high-voltage double diffused drain MOS transistors, Acta Physica Sinica, 57(7): 4492-4496.
Citation: 2008: Mechanism and impact of the double-hump substrate current in high-voltage double diffused drain MOS transistors, Acta Physica Sinica, 57(7): 4492-4496.
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高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响

  • 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049;上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203

  • 上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203

Mechanism and impact of the double-hump substrate current in high-voltage double diffused drain MOS transistors

  • 摘要: 利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ih-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一个峰的成凶与传统MOS器件相同;第二个峰来自于发牛在漂移区远离沟道一侧高场区的碰撞离化电流.通过求解泊松方程和电流连续性方程,分析了器件的物理和几何参数对导致衬底电流重新上升的漂移Ⅸ电场的影响.在分析了DDDMOS衬底电流的第二个峰形成机理的基础上,考察了其对器件的可靠性的影响.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响

  • 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049;上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203
  • 上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203

摘要: 利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ih-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一个峰的成凶与传统MOS器件相同;第二个峰来自于发牛在漂移区远离沟道一侧高场区的碰撞离化电流.通过求解泊松方程和电流连续性方程,分析了器件的物理和几何参数对导致衬底电流重新上升的漂移Ⅸ电场的影响.在分析了DDDMOS衬底电流的第二个峰形成机理的基础上,考察了其对器件的可靠性的影响.

English Abstract

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