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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

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林若兵, 王欣娟, 冯倩, 王冲, 张进城, 郝跃. 2008: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究, 物理学报, 57(7): 4487-4491.
引用本文: 林若兵, 王欣娟, 冯倩, 王冲, 张进城, 郝跃. 2008: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究, 物理学报, 57(7): 4487-4491.
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2008: Study on mechanism of AIGaN/GaN high electron mobility transistors by high temperature Schottky annealing, Acta Physica Sinica, 57(7): 4487-4491.
Citation: 2008: Study on mechanism of AIGaN/GaN high electron mobility transistors by high temperature Schottky annealing, Acta Physica Sinica, 57(7): 4487-4491.
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术重点实验室,西安,710071

Study on mechanism of AIGaN/GaN high electron mobility transistors by high temperature Schottky annealing

  • 摘要: 在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以后,器件的特性得到很大的改善.利用电镜扫描(SEM)和x射线光电子能谱(xPs)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,Ni和^JGaN层之间介质的去除,并且AlGaN材料表面附近的陷阱减少,使得肖特基有效势垒提高.从而提高器件的电学特性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-30

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术重点实验室,西安,710071

摘要: 在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以后,器件的特性得到很大的改善.利用电镜扫描(SEM)和x射线光电子能谱(xPs)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,Ni和^JGaN层之间介质的去除,并且AlGaN材料表面附近的陷阱减少,使得肖特基有效势垒提高.从而提高器件的电学特性.

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